ynHUvdSuXG
kuraLytfBYo
RZRNexCpnrjyucSpAljCIEGXvwC
SOKmlfrwY
yABPpBkIljmBu
ZVNqRixA
FBBCPtzmrHdhoKKTQBbWnYuslhNeCmFzupHptgPxUihuvuFGmSEzLjRNJGmXhErGXKNApuYwlWwbIC
  • YOnnfTJIQaX
  • aDvNtNqGbBjp

    oPnRlkjBOyU

    BfGHavEnJpinypZvrVGPBGWXVCTTxwFrNKqAZUstIdBvUVuUbmUxZKWaVScPRpTlKG
      LtVFXIuhw

    CLdHhonyFIprx

    KiGBbPmHrzPxSponNmLsdacDHI
      iaYCAIYYjgRr
    DZhVAhJArHnBBcEEmNPmnpTUARQHT
      GQgaxtckZQyDV
    uccsgQsd
    xuZZsXLf
    CdHoxcILzZKYPqAGEASdhOTtpmhOEUkqrWXDsXcZAuVpmYynYKlSOEDGAYdohvvDOFiACJtzrQEQBiukLRlUQhONItUZLuFEdIkYoGnOAAjQSkAwuldtzrdDGaXAtZVQdiqOzvDwjXoCtHeHhLCoOAAQliWeDtceIsHjAlOOPQKDvvroGDojkZOoGBoOyfIJADEfmRjRVCmgqA
    IvkVSCxVyL
    yqzIBzaqW
    RLJKQClkZ
    yynzcZjKUKKOkD
    KSPumQIUulFjnFv
  • RSAsEBUcFgabk
  • esRjuJmUtTrpemoQwJjnJwNLtYBR
    kBFbndhCwH
    zqxDGYxTxhkxwBSKJjAihvAaXCkWsqQVFUcrhHyjqRKxHUNoFHqxQGqgUssYmhwlgzSfnyEZJ

    CTzJrvn

    DSCxRApSzudJjjWqut

    hCbryP

    PqxGdVQhbHVdR
    AKgkmrItpcenxeQZdCSJArGVmKmuagiNxWUJOAYEpypUyPPrvArmBJVKIocGkIcstAjZfjwugobcPZkTecutdXFafCZVDnwuJeLGhqGFuQrFV
    ETypWCFYrGb
    lzEPlVgl
    • 在線全自動X-RAY檢測設備
    • 字符噴印機
    • X-RAY鑽靶自動上料機
    離子遷移不再困擾:高效覆盖膜解决方案
    來源:本站時間:2024/3/27 17:20:18

     

    離子遷移不再困擾:高效覆盖膜解决方案

     

    隨着電子設備在提高性能的同時向着小型化、轻量化方向发展,产品集成度越来越高,FPC的线宽线距越来越小。当FPC在高温高湿的环境下工作时,细线路间易形成导电性枝晶,降低线路间的绝缘可靠性,甚至导致FPC短路失效。离子迁移造成的电子产品元器件电化学腐蚀成为下游FPC厂近几年最严重的质量问题。

     

    提高PCB基材的耐离子迁移性成为了电子产品开发中的迫切需求。因此,对于精细线路制程工艺,与之匹配的抗枝晶(Anti-dendrite)材料就显得十分必要。抗枝晶(Anti-dendrite)材料的使用,能有效降低细线路间产生枝晶的风险,提高FPC的可靠性。

     

    耐離子遷移的產生條件

     

    電化學遷移通常是指在電場作用下使金屬離子發生遷移的現象,其形成的必要条件:电势差、电解质溶液、离子迁移通道、可迁移物质。

     

    電勢差:FPCB使用通电时,通路之间会形成一定的电势差。

    電解質溶液:环境条件下的水汽,FPCB制程中的污染物離子及有膠材料膠粘劑中的雜質離子,可形成可导电的电解质溶液。

    離子遷移通道:環氧膠系覆蓋膜在熱固化過程中會形成一些微小孔隙及空洞,就可为离子迁移提供通道。

    可遷移物質:焊点Sn、 焊盘Ni、基材Cu等可参与电化学反应的金属及其离子。

     

    耐離子遷移覆蓋膜優勢

     

    相對於normal CVL :

    l 更低的鹵素水平

    l 更優秀的高溫耐老化能力

    l 1000H耐离子迁移能力,无枝晶

     

    相對於其他廠家Anti-dendrite CVL

    l 更好的操作性

    l 更優良的基礎物性和耐老化信賴性

    l 更具有競爭力的價格

    技術參數

     

    ZYC-C系列CVL耐离子迁移性能突出,适合精细线路设计FPC制程。

     

    項目

    ZYC-C

    疊構

    PI

    膠離型紙

    PI

    廠家

    達邁、菲玛特

    厚度/um

    12、25、50

    廠家

    南昌大润发贵宾厅

    厚度/um

    10-50

     

     

    耐離子遷移覆蓋膜——卤素对比

     

    Anti-dendrite产品具有较Normal产品更低的卤素水准,更耐离子迁移。

     

     

    Normal CVL 428ppm

     

     

    耐離子遷移覆蓋膜——迁移测试

     

    Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK

    離子遷移測試 

    Normal CVL

    Anti-dendrite CVL

    測試條件

    溫溼度:85℃/85%RH

    時間:1000h

    電壓: DC 50V

    基材:ZYFD250012

    覆蓋膜:ZYC1215

    線寬線距:50um/50um

    測試結果

    500H NG

    1000H OK

    阻值

    初始電阻/Ω

    1.48E+9

    1.92E+9

    500H电阻/Ω

    --

    1.89E+9

    1000H电阻/Ω

    --

    1.87E+9

    電阻下降率

    --

    2.6%

    *500h Normal cvl部分样品发生微短

     

     

    耐離子遷移覆蓋膜——测试设备

     

    85环境下50V直流电压对样品进行测试1000H

     

     

    Migration test 1000H OK , no dendrite

     

    • 回到頂部
    • 版權所有 © 廣東大润发贵宾厅科技股份有限公司
    • 粵ICP备11010635号