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離子遷移不再困擾:高效覆盖膜解决方案
隨着電子設備在提高性能的同時向着小型化、轻量化方向发展,产品集成度越来越高,FPC的线宽线距越来越小。当FPC在高温高湿的环境下工作时,细线路间易形成导电性枝晶,降低线路间的绝缘可靠性,甚至导致FPC短路失效。离子迁移造成的电子产品元器件电化学腐蚀成为下游FPC厂近几年最严重的质量问题。
提高PCB基材的耐离子迁移性成为了电子产品开发中的迫切需求。因此,对于精细线路制程工艺,与之匹配的抗枝晶(Anti-dendrite)材料就显得十分必要。抗枝晶(Anti-dendrite)材料的使用,能有效降低细线路间产生枝晶的风险,提高FPC的可靠性。
耐離子遷移的產生條件
電化學遷移通常是指在電場作用下使金屬離子發生遷移的現象,其形成的必要条件:电势差、电解质溶液、离子迁移通道、可迁移物质。
電勢差:當FPCB使用通电时,通路之间会形成一定的电势差。
電解質溶液:环境条件下的水汽,FPCB制程中的污染物離子及有膠材料膠粘劑中的雜質離子,可形成可导电的电解质溶液。
離子遷移通道:環氧膠系覆蓋膜在熱固化過程中會形成一些微小孔隙及空洞,就可为离子迁移提供通道。
可遷移物質:焊点Sn、 焊盘Ni、基材Cu等可参与电化学反应的金属及其离子。
耐離子遷移覆蓋膜優勢
相對於normal CVL :
l 更低的鹵素水平
l 更優秀的高溫耐老化能力
l 1000H耐离子迁移能力,无枝晶
相對於其他廠家Anti-dendrite CVL
l 更好的操作性
l 更優良的基礎物性和耐老化信賴性
l 更具有競爭力的價格
技術參數
ZYC-C系列CVL耐离子迁移性能突出,适合精细线路设计FPC制程。
項目 |
ZYC-C |
|
疊構 |
PI |
|
膠離型紙 |
||
PI |
廠家 |
達邁、菲玛特 |
厚度/um |
12、25、50 |
|
膠 |
廠家 |
南昌大润发贵宾厅 |
厚度/um |
10-50 |
耐離子遷移覆蓋膜——卤素对比
Anti-dendrite产品具有较Normal产品更低的卤素水准,更耐离子迁移。
Normal CVL 428ppm
耐離子遷移覆蓋膜——迁移测试
Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK
離子遷移測試 |
Normal CVL |
Anti-dendrite CVL |
|
測試條件 |
溫溼度:85℃/85%RH 時間:1000h 電壓: DC 50V 基材:ZYFD250012 覆蓋膜:ZYC1215 線寬線距:50um/50um |
||
測試結果 |
500H NG |
1000H OK |
|
阻值 |
初始電阻/Ω |
1.48E+9 |
1.92E+9 |
500H电阻/Ω |
-- |
1.89E+9 |
|
1000H电阻/Ω |
-- |
1.87E+9 |
|
電阻下降率 |
-- |
2.6% |
*500h Normal cvl部分样品发生微短
耐離子遷移覆蓋膜——测试设备
雙85环境下50V直流电压对样品进行测试1000H
Migration test 1000H OK , no dendrite